全球存储解决方案领导者Kioxia Corporation今日宣布，已开始出货采用其第十代BiCS FLASH™ 3D闪存技术的1Tb（太比特）三层单元（TLC）存储器件样品。这些产品将主要集成到该公司的企业级和数据中心固态硬盘（SSD）中，以增强Kioxia的产品阵容，满足人工智能存储对更高性能、更大容量和更低功耗日益增长的需求。这些新产品将利用位于日本岩手县的Kioxia北上工厂Fab2设施中的尖端设备进行生产。

通过利用自第八代BiCS FLASH™起便已采用的创新型CMOS直接键合到存储阵列（CBA）技术以及同节距选择栅漏极（OPS）技术，第十代技术实现了高达4.8 Gb/s的NAND接口速度，较第八代提升了 33%。通过堆叠332层并提高横向密度，比特密度提高了59%。此外，写入和读取的能效分别提高了18%和30%，有助于降低数据中心和企业级基础设施的功耗。

在其独特的双轴战略下，Kioxia正在同步推进两条不同的产品线：其一为第九代解决方案，旨在以相对较低的投资成本提供高性能；其二为第十代技术，通过利用先进的层堆叠技术来实现海量容量与卓越性能。

在“用 ‘记忆 ’提升世界”这一使命的引领下， Kioxia始终致力于推动技术创新、加强全球合作伙伴关系，并提供助力现代人工智能基础设施发展的先进存储解决方案。