第三十一章 FLASH模拟EEPROM实验
STM32G474本身没有自带EEPROM，但是STM32G474具有IAP（在应用编程）功能，所以我们可以把它的FLASH当成EEPROM来使用。本章，我们将利用STM32G474内部的FLASH来实现第二十七章SPI实验类似的效果，不过这次我们是将数据直接存放在STM32G474内部，而不是存放在NOR FLASH。
本章分为如下几个小节：
31.1 STM32G474 FLASH简介
31.2 硬件设计
31.3 程序设计
31.4 下载验证
31.1 STM32G474 FLASH简介
不同型号的STM32G4芯片，其FLASH容量也有所不同，最小的只有128K字节，最大的则达到了512K字节。STM32G474电机开发板选择的是STM32G474VET6，FLASH容量为512K字节，属于大容量产品。STM32G474闪存模块支持64位和128位宽度读取，具体描述可参考《STM32G4xx参考手册_V7（英文版）.pdf》第3.3章节，这里以64位宽度读取为例，其内存组织如图31.1.1所示：
表31.1.1 STM32G474闪存模块组织表
STM32G474的闪存模块由主存储器、系统存储器、OPT区域和选项字节等4部分组成。
主存储器，该部分用来存放代码和数据常数（如const类型的数据）。分为256个扇区，块1和块2的扇区大小皆为256KB，值得注意的是，不同容量的STM32，拥有的扇区数不一样。从表31.1.1可以看出，主存储器的起始地址为0x08000000，B0接GND的时候，就是从0x08000000开始运行代码。
系统存储器，主要用来存放STM32G474的bootloader代码，此代码在出厂的时候就固化在STM32G474里面了，专门用来给主存储器下载代码的。当B0接V3.3的时候，从该存储器启动（即进入串口下载模式）。
OTP区域，即一次性可编程区域，总共1K字节大小。
选项字节，用于配置读保护、BOR级别、软件/硬件看门狗以及器件处于待机或停止模式下的复位。
闪存存储器接口寄存器，该部分用于控制闪存读写等，是整个闪存模块的控制结构。
在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正确地进行。既在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。
31.1.1 闪存的读取
STM32G4可以通过内部的I-Code指令总线或D-Code数据总线访问内置闪存模块，本章主要讲解的数据读写，即通过D-Code数据总线来访问内部闪存模块。为了准确读取Flash数据，必须根据CPU时钟（HCLK）频率和器件电源电压在Flash存取控制寄存器（FLASH_ACR）中正确地设置等待周期数（LATENCY），Flash等待周期与CPU时钟频率之间的对应关系，如表31.1.1.1所示：
表31.1.1.1 CPU时钟（HCLK）频率对应的FLASH等待周期表
等待周期通过FLASH_ACR寄存器的LATENCY[3:0]四个位设置。系统复位后，CPU时钟频率为内部16 M RC振荡器（HSI），LATENCY默认是0，即1个等待周期。供电电压，我们一般是3.3V，所以，在我们设置170 Mhz频率作为CPU时钟之前，必须先设置LATENCY为4（5个CPU等待周期），否则FLASH读写可能出错，导致死机。
正常工作时（170 MHz），虽然FLASH需要5个CPU等待周期，但是由于STM32G4具有自适应实时存储器加速器(ART Accelerator)，通过指令缓存存储器，预取指令，实现相当于0 FLASH等待的运行速度。关于自适应实时存储器加速器的详细介绍，请大家参考《STM32G4xx参考手册_V7（英文版）.pdf》3.3.4节。
STM23G4的FLASH读取是很简单的。例如，我们要从地址addr，读取一个字（字节为8位，半字为16位，字为32位），可以通过如下的语句读取：
Data = *(volatile uint32_t *)faddr;
将faddr强制转换为volatile uint32_t指针，然后取该指针所指向的地址的值，即得到了faddr地址的值。类似的，将上面的volatile uint32_t改为volatile uint16_t，即可读取指定地址的一个半字。相对FLASH读取来说，STM32G474 FLASH的写就复杂一点了，下面我们介绍STM32G474闪存的编程和擦除。
31.1.2 闪存的编程和擦除
在对STM32G474的Flash执行写入或擦除操作期间，任何读取Flash的尝试都会导致总线阻塞。只有在完成编程操作后，才能正确处理读操作。这意味着，写/擦除操作进行期间不能从Flash中执行代码或数据获取操作。
STM32G474用户闪存的编程一般由7个32位寄存器控制，他们分别是：
l FLASH访问控制寄存器(FLASH_ACR)
l FLASH秘钥寄存器(FLASH_KEYR)
l FLASH电源关闭秘钥寄存器(FLASH_PDKEYR)
l FLASH选项秘钥寄存器(FLASH_OPTKEYR)
l FLASH状态寄存器(FLASH_SR)
l FLASH控制寄存器(FLASH_CR)
l FLASH选项寄存器(FLASH_OPTR)
STM32G474复位后，FLASH编程操作是被保护的，不能写入FLASH_CR寄存器；通过写入特定的序列（0x45670123和0xCDEF89AB）到FLASH_KEYR寄存器才可以解除写保护，只有在写保护被解除后，我们才能操作相关寄存器。
FLASH_CR的解锁序列为：
（1）写0x45670123到FLASH_KEYR
（2）写0xCDEF89AB到FLASH_KEYR
通过这两个步骤，即可解锁FLASH_CR，如果写入错误，那么FLASH_CR将被锁定，直到下次复位后才可以再次解锁。
FLASH配置步骤
STM32G474的FLASH在编程的时候，也必须要求其写入地址的FLASH是被擦除了的（也就是其值必须是0xFFFFFFFF），无法写入。STM32G474的标准编程步骤如下：
1）检查FLASH_CR的LOCK是否解锁，如果没有则先解锁；
2）检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确认没有其他正在进行的编程操作；
3）设置FLASH_CR寄存器的PG位为‘1’；
4）在指定的地址写入数据（一次写入32字节，不能超过32字节）；
5）等待BSY位变为‘0’；
6）读出写入地址并验证数据；
前面提到，我们在STM32的FLASH编程的时候，要先判断缩写地址是否被擦除了，所以，我们有必要再介绍一下STM32的闪存擦除，STM32的闪存擦除分为两种：页（扇区）擦除和整片（块）擦除。页擦除过程如下所示：
1，检查FLASH_CR的LOCK是否解锁，如果没有则先解锁。
2，检查FLASH_SR寄存器中的BSY位，确保当前未执行任何FLASH操作。
3，在FLASH_CR寄存器中，将PER位置1，并设置PNB=0。
4，将FLASH_CR寄存器中的START位置1，触发擦除操作。
5，等待BSY位清零。
经过以上五步，就可以擦除某个扇区。本章，我们只用到了STM32G474的扇区擦除功能。整片擦除功能我们在这里就不介绍了，想了解的朋友请看《STM32G4xx参考手册_V7（英文版）.pdf》第3.3.5节。
31.1.3 FLASH寄存器
通过上面的讲解，我们基本对STM32闪存的读写执行步骤有所了解。接下来，我们介绍本实验需要用到的一些FLASH寄存器。
l Flash访问控制寄存器（FLASH_ACR）
Flash访问控制寄存器描述如图31.1.3.1所示：
图31.1.3.1 FLASH_ACR寄存器
我们重点介绍LATENCY[3:0]这四个位，它们用于用于控制FLASH读延迟，这必须根据主频进行正确的设置，否则，可能会死机。其他DCEN、ICEN和PRFTEN这三个位也比较重要，为了达到最佳性能，这三个位我们一般都设置为1即可。
l FLASH密钥寄存器（FLASH_KEYR）
FLASH密钥寄存器描述如图31.1.3.2所示：
图31.1.3.2 FLASH_KEYR寄存器
该寄存器主要用来解锁FLASH_CR，必须在该寄存器写入特定的序列（KEY1和KEY2）解锁后，才能对FLASH_CR寄存器进行写操作。
l FLASH控制寄存器（FLASH_CR）
FLASH控制寄存器描述如图31.1.3.3所示：
图31.1.3.3 FLASH_CR寄存器
LOCK位，该位用于指示FLASH_CR寄存器是否被锁住，该位在检测到正确的解锁序列后，硬件将其清零。在一次不成功的解锁操作后，在下次系统复位之前，该位将不再改变。
START位，该位用于开始一次擦除操作。在该为写入1，将执行一次擦除操作。
BKER位，用于选择需要擦除的Bank。0：Bank1，1：Bank2。
PNB[6:0]位，这7个位用于选择要擦除的扇区编号，取值范围为0~255。
PER位，该位用于选择扇区擦除操作，在扇区擦除的时候，需要将该位置1。
PG位，该位用于选择编程操作，在往FLASH写数据的时候，该位需要置1。
FLASH_CR的其他位，我们就不在这里介绍了，请大家参考《STM32G4xx参考手册_V7（英文版）.pdf》第3.7.6节。
l FLASH状态寄存器（FLASH_SR）
FLASH状态寄存器描述如图31.1.3.4所示：
图31.1.3.4 FLASH_SR寄存器
该寄存器我们主要用了BSY位：表示BANK当前正在执行编程操作，当该位为1时，表示正在执行FLASH操作，当该位为0时，表示当前未执行FLASH操作。
关于STM32G474 FLASH的介绍我们就介绍到这里，更详细的介绍，请参考《STM32G4xx参考手册_V7（英文版）.pdf》第三章。
31.2 硬件设计
1. 例程功能
按键KEY1控制写入FLASH的操作，按键KEY0控制读出操作，并在TFTLCD模块上显示相关信息，还可以借助USMART进行读取或者写入操作。LED0闪烁用于提示程序正在运行。
2. 硬件资源
1）LED灯
LED0 – PE0
2）串口1(PB6/PB7连接在板载USB转串口芯片CH340上面)
3）正点原子1.3寸 TFTLCD模块(SPI接口)
4）独立按键
KEY0 – PE12
KEY1 – PE13
31.3 程序设计
31.3.1 FLASH的HAL库驱动
FLASH在HAL库中的驱动代码在stm32g4xx_hal_flash.c和stm32g4xx_hal_flash_ex.c文件（及其头文件）中。
1. HAL_FLASH_Unlock函数
解锁闪存控制寄存器访问的函数，其声明如下：
HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Unlock(void);
l 函数描述：
用于解锁闪存控制寄存器的访问，在对FLASH进行写操作前必须先解锁，解锁操作也就是必须在FLASH_KEYR寄存器写入特定的序列（KEY1和KEY2）。
l 函数形参：无
l 函数返回值：HAL_StatusTypeDef枚举类型的值。
2. HAL_FLASH_Lock函数
锁定闪存控制寄存器访问的函数，其声明如下：
HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Lock(void);
l 函数描述：
用于锁定闪存控制寄存器的访问。
l 函数形参：无
l 函数返回值：HAL_StatusTypeDef枚举类型的值。
3. HAL_FLASH_Program函数
闪存写操作函数，其声明如下：
HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint64_t Data);
l 函数描述：
该函数用于FLASH的写入。
l 函数形参：
形参1是TypeProgram用来区分要写入的数据类型。
形参2是Address用来设置要写入数据的FLASH地址
形参3是Data是要写入的数据类型。
l 函数返回值：
HAL_StatusTypeDef枚举类型的值。
4. HAL_FLASHEx_Erase函数
闪存擦除函数，其声明如下：
HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef *pEraseInit, uint32_t *PageError);
l 函数描述：
该函数用于大量擦除或擦除指定的闪存扇区。
l 函数形参：
形参1是FLASH_EraseInitTypeDef结构体类型指针变量。
typedef struct
{
uint32_t TypeErase; /* 擦除类型 */
uint32_t Banks; /* 擦除的Bank编号 */
uint32_t Page; /* 擦除的页面*/
uint32_t NbPages; /* 擦除的页面数 */
} FLASH_EraseInitTypeDef;
形参2是uint32_t类型指针变量，存放错误码，0xFFFFFFFF值表示扇区已被正确擦除，其它值表示擦除过程中的错误扇区。
l 函数返回值：
HAL_StatusTypeDef枚举类型的值。
5. FLASH_WaitForLastOperation函数
等待FLASH操作完成函数，其声明如下：
HAL_StatusTypeDef FLASH_WaitForLastOperation(uint32_t Timeout);
l 函数描述：
该函数用于等待FLASH操作完成。
l 函数形参：
形参1是FLASH操作超时时间。
l 函数返回值：
HAL_StatusTypeDef枚举类型的值。
31.3.2 程序流程图
图31.3.2.1 FLASH模拟EEPROM实验程序流程图
31.3.3 程序解析
1. STMFLASH驱动代码
这里我们只讲解核心代码，详细的源码请大家参考光盘本实验对应源码。STMFLASH驱动源码包括两个文件：stmflash.c和stmflash.h。
stmflash.h头文件做了一些比较重要的宏定义，定义如下：
/* FLASH起始地址 */ #define STM32_FLASH_BASE 0x08000000 /* STM32 FLASH 起始地址 */ #define STM32_FLASH_SIZE 0x080000 /* STM32 FLASH 总大小 */ #define FLASH_WAITETIME 50000 /* FLASH等待超时时间 */ /* G474芯片的512KFLASH的页地址分布如下，共有两个BANK，每个有128页，每一页2kb大小 */ #define ADDR_FLASH_PAGE_0 ((uint32_t)0x08000000) #define ADDR_FLASH_PAGE_1 ((uint32_t)0x08000800) #define ADDR_FLASH_PAGE_2 ((uint32_t)0x08001000) #define ADDR_FLASH_PAGE_3 ((uint32_t)0x08001800) #define ADDR_FLASH_PAGE_4 ((uint32_t)0x08002000) .../*省略相似部分*/ #define ADDR_FLASH_PAGE_254 ((uint32_t)0x0807f000) #define ADDR_FLASH_PAGE_255 ((uint32_t)0x0807f800)
STM32_FLASH_BASE和STM32_FLASH_SIZE分别是FLASH的起始地址和FLASH总大小，这两个宏定义随着芯片是固定的，G4电机开发板的STM32G474VET6的FLASH是512K字节，所以STM32_FLASH_SIZE宏定义值为0x080000。
下面我们开始介绍stmflash.c的程序，具体程序源码如下：
/**
* @brief 得到FLASH的错误状态
* @param 无
* @retval 执行结果
* @arg 0 : 已完成
* @arg 其他 : 错误编号
*/
static uint8_t stmflash_get_error_status(void)
{
uint32_t res = 0;
res = FLASH->SR;
if (res & (1 << 16)) return 1; /* BSY=1, 繁忙 */
if (res & (1 << 15)) return 2; /* OPTVERR=1,选项有效性错误 */
if (res & (1 << 14)) return 3; /* RDERR=1,读保护错误 */
if (res & (1 << 9)) return 4; /* FASTERR=1,快速编程错误 */
if (res & (1 << 8)) return 5; /* MISSERR=1,快速编程数据丢失错误 */
if (res & (1 << 7)) return 6; /* PGSERR=1,编程序列错误 */
if (res & (1 << 6)) return 7; /* SIZERR=1,数据大小错误 */
if (res & (1 << 5)) return 8; /* PGAERR=1,编程对齐错误 */
if (res & (1 << 4)) return 9; /* WRPERR=1,写保护错误 */
if (res & (1 << 3)) return 10; /* PROGERR=1,编程错误 */
if (res & (1 << 1)) return 11; /* OPERR=1,写/擦除错误 */
return 0; /* 没有任何状态/操作完成. */
}
/**
* @brief 等待操作完成
* @param time : 要延时的长短
* @retval 执行结果
* @arg 0 : 已完成
* @arg 0XFF: 超时
* @arg 其他 : 错误编号
*/
static uint8_t stmflash_wait_done(uint32_t time)
{
uint8_t res;
do
{
res = stmflash_get_error_status();
if (res != 1)
{
break; /* 非忙, 无需等待了, 直接退出 */
}
time--;
} while (time);
if (time == 0)res = 0XFF; /* 超时 */
return res;
}
/**
* @brief 在FLASH指定地址写两个字 (64bit数据)
* @note 这里写入两个字, 是指8个字节
* @param faddr : 写入地址 (此地址必须为4的倍数!!)
* @param data : 要写入的数据(32位)
* @param data2 : 要写入的数据(32位)
* @retval 执行结果
* @arg 0 : 已完成
* @arg 0XFF : 超时
* @arg 其他 : 错误编号
*/
static uint8_t stmflash_write_double_word(uint32_t faddr, uint32_t data, uint32_t data2)
{
uint8_t res;
res = stmflash_wait_done(0XFFFF);
if (res == 0) /* OK */
{
FLASH->CR |= 1 << 0; /* 编程使能 */
*(volatile uint32_t *)faddr = data; /* 写入第一个字节数据 */
*(volatile uint32_t *)(faddr + 4) = data2; /* 写入第二个字节数据 */
res = stmflash_wait_done(0XFFFF); /* 等待操作完成,2个字编程 */
if (res != 1) /* 操作成功 */
{
FLASH->CR &= ~(1 << 0); /* 清除PG位 */
}
}
return res;
}
/**
* @brief 从指定地址读取一个字 (32位数据)
* @param faddr : 读取地址 (此地址必须为4倍数!!)
* @retval 读取到的数据 (32位)
*/
uint32_t stmflash_read_word(uint32_t faddr)
{
return *(volatile uint32_t *)faddr;
}
/**
* @brief 获取某个地址所在的flash页
* @param addr : lash地址
* @retval 地址所在页
*/
uint32_t stmflash_get_flash_page(uint32_t addr)
{
uint32_t page = 0;
if (addr < (FLASH_BASE + FLASH_BANK_SIZE))
{
/* Bank 1 */
page = (addr - FLASH_BASE) / FLASH_PAGE_SIZE;
g_flash_bankx = FLASH_BANK_1;
}
else
{
/* Bank 2 */
page = (addr - (FLASH_BASE + FLASH_BANK_SIZE)) / FLASH_PAGE_SIZE;
g_flash_bankx = FLASH_BANK_2;
}
return page;
}
/**
* @brief 在FLASH 指定位置, 写入指定长度的数据(自动擦除)
* @note 本函数写地址如果非0XFF那么会先擦除整个页区且不保存页区数据.
所以写非0XFF的地址,将导致整个
* 页区数据丢失.建议写之前确保页区里没有重要数据,
最好是整个扇页区先擦除了,然后慢慢往后写.
* 该函数对OTP区域也有效!可以用来写OTP区!
* OTP区域地址范围:0X1FFF7800~0X1FFF7A0F
(注意：最后16字节，用于OTP数据块锁定，别乱写！！)
* @param waddr : 起始地址 (此地址必须为4的倍数!!,否则写入出错!)
* @param pbuf : 数据指针
* @param length : 要写入的 字(32位)数(就是要写入的32位数据的个数)
* @retval 无
*/
void stmflash_write(uint32_t waddr, uint32_t *pbuf, uint32_t length)
{
FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct;
uint32_t PageError = 0;
uint8_t status = 0;
uint32_t addrx = 0;
uint32_t endaddr = 0;
/* 写入地址小于 STM32_FLASH_BASE, 或不是4的整数倍, 非法. */
/* 写入地址大于 STM32_FLASH_BASE + STM32_FLASH_SIZE, 非法. */
if (waddr < STM32_FLASH_BASE || waddr % 4 ||
waddr > (STM32_FLASH_BASE + STM32_FLASH_SIZE))
{
return;
}
HAL_FLASH_Unlock(); /* 解锁 */
FLASH->ACR &= ~(1 << 10); /* FLASH擦除期间,必须禁止数据缓存!!! */
FLASH->OPTR |= 1 << 22; /* 使用双存储模式（一次写64bit也就是8字节） */
addrx = waddr; /* 写入的起始地址 */
endaddr = waddr + length * 4; /* 写入的结束地址 */
if (addrx < 0X1FFF0000) /* 只有主存储区,才需要执行擦除操作!! */
{
while (addrx < endaddr) /* 扫清一切障碍.(对非FFFFFFFF的地方,先擦除) */
{
/* 有非0XFFFFFFFF的地方,要擦除这个扇区 */
if (stmflash_read_word(addrx) != 0XFFFFFFFF)
{
EraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;/* 选择页擦除 */
/* 获取需要擦除哪个页 */
EraseInitStruct.Page = stmflash_get_flash_page(addrx);
/* 需要擦除的页地址，所属BANK */
EraseInitStruct.Banks = g_flash_bankx;
EraseInitStruct.NbPages = stmflash_get_flash_page(endaddr) -
stmflash_get_flash_page(addrx) + 1; /* 擦除的页数量 */
if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PageError) != HAL_OK)
{
break;
}
stmflash_wait_done(0XFFFF);
}
else
{
addrx += 4;
}
status = stmflash_wait_done(0XFFFF); /* 等待上次操作完成 */
}
}
status = stmflash_wait_done(0XFFFF); /* 等待上次操作完成 */
if (status == HAL_OK)
{
while (waddr < endaddr) /* 写数据 */
{
/* 由于使用的double模式，一次写64bit也就是8字节，
如果一次写4字节，会出现一次写成功一次写失败的情况 */
if(stmflash_write_double_word(waddr, *pbuf, *(pbuf + 1)))
{
break; /* 写入异常 */
}
waddr += 8;
pbuf += 2;
}
}
FLASH->ACR |= 1 << 10; /* FLASH擦除结束,开启数据fetch */
HAL_FLASH_Lock(); /* 上锁 */
}
/**
* @brief 从指定地址开始读出指定长度的数据
* @param raddr : 起始地址
* @param pbuf : 数据指针
* @param length: 要读取的字(32)数,即4个字节的整数倍
* @retval 无
*/
void stmflash_read(uint32_t raddr, uint32_t *pbuf, uint32_t length)
{
uint32_t i;
for (i = 0; i < length; i++)
{
pbuf[i] = stmflash_read_word(raddr); /* 读取4个字节. */
raddr += 4; /* 偏移4个字节. */
}
}
该部分代码，我们重点介绍一下stmflash_write函数，该函数用于在STM32G4的指定地址写入指定长度的数据，类似第有几个要注意的点：
1，写入地址必须是用户代码区以外的地址
2，写入地址必须是4的倍数。
第1点比较好理解，如果把用户代码给擦了，可想而知你运行的程序可能就被废了，从而很可能出现死机的情况。值得注意的是，本函数不缓存要擦除的扇区内容，也就是如果要擦除，那么就是整个扇区擦除，所以建议大家使用该函数的时候，写入地址定位到用户代码占用扇区以外的扇区，比较保险。
第2点则是每次必须写入32位，即4字节，所以地址必须是4的倍数。
2. main.c代码
在main.c里面编写如下代码：
/* 要写入到STM32 FLASH的字符串数组 */
const uint8_t g_text_buf[] = {"STM32 FLASH TEST"};
#define TEXT_LENTH sizeof(g_text_buf) /* 数组长度 */
/* SIZE表示半字长(4字节), 大小必须是4的整数倍, 如果不是的话, 强制对齐到2的整数倍 */
#define SIZE TEXT_LENTH / 4 + ((TEXT_LENTH % 4) ? 1 : 0)
/* 设置FLASH 保存地址(必须为4的整数倍，且大于本代码所占用FLASH的大小 + 0x08000000) */
#define FLASH_SAVE_ADDR 0x08010000
int main(void)
{
uint8_t key = 0;
uint16_t i = 0;
uint8_t datatemp[SIZE];
HAL_Init(); /* 初始化HAL库 */
sys_stm32_clock_init(85, 2, 2, 4, 8); /* 设置时钟,170Mhz */
delay_init(170); /* 延时初始化 */
usart_init(115200); /* 串口初始化为115200 */
usmart_dev.init(170); /* 初始化USMART */
led_init(); /* 初始化LED */
lcd_init(); /* 初始化LCD */
key_init(); /* 初始化按键 */
lcd_show_string(10, 10, 200, 32, 32, "STM32", RED);
lcd_show_string(10, 42, 200, 24, 24, "FLASH EEPROM TEST", RED);
lcd_show_string(10, 66, 200, 24, 24, "ATOM@ALIENTEK", RED);
lcd_show_string(10, 100, 200, 16, 16, "KEY1:Write KEY0:Read", RED);
while (1)
{
key = key_scan(0);
if (key == KEY1_PRES) /* KEY1按下,写入STM32 FLASH */
{
lcd_fill(0, 150, 239, 239, WHITE); /* 清除半屏 */
lcd_show_string(10, 150, 200, 16, 16, "Start Write FLASH....", RED);
stmflash_write(FLASH_SAVE_ADDR, (uint32_t *)g_text_buf, SIZE);
/* 提示传送完成 */
lcd_show_string(10, 150, 200, 16, 16, "FLASH Write Finished!", RED);
}
else if (key == KEY0_PRES) /* KEY0按下,读取字符串并显示 */
{
lcd_show_string(10, 150, 200, 16, 16, "Start Read FLASH.... ", RED);
stmflash_read(FLASH_SAVE_ADDR, (uint32_t *)datatemp, SIZE);
/* 提示传送完成 */
lcd_show_string(10, 150, 200, 16, 16, "The Data Readed Is: ", RED);
/* 显示读到的字符串 */
lcd_show_string(10, 170, 239, 16, 16, (char *)datatemp, BLUE);
}
i++;
delay_ms(10);
if (i == 20)
{
LED0_TOGGLE(); /* 提示系统正在运行 */
i = 0;
}
}
}
主函数代码逻辑比较简单，当检测到按键KEY1按下后往FLASH指定地址开始的连续地址空间写入一段数据，当检测到按键KEY0按下后读取FLASH指定地址开始的连续空间数据。最后，我们将stmflash_read_word函数加入USMART控制，这样，我们就可以通过串口调试助手，调用STM32G474的FLASH读函数，方便测试。
31 .4 下载验证
将程序下载到开发板后，可以看到LED0不停的闪烁，提示程序已经在运行了。LCD显示的内容如图31.4.1所示：
图31.4.1程序运行效果图
通过先按KEY1按键写入数据，然后按KEY0读取数据，得到如图31.4.2所示：
图31.4.2 操作后的显示效果图
本实验的测试，我们还可以借助USMART，调用：stmflash_read_word函数进行测试！